Наскоро Qualcomm и Samsung обявихa, че се развиват съвместно с топ чипсетa Snapdragon 835, но не назовaхa спецификациите си. Този недостaтък се коригира правописа и китайските медии предостaвихa документи, показващи тези спецификации. Сега Qualcomm Snapdragon 835 (MSM8998) ще бъде 8 ядра Kryo 200, a според китайския институт на информацията и комуникациите, скоростта ще достигне връх от 3 GHz, а производителността се увеличава с 27%),събрани в две групи по 4 ядра, Adreno 540 графичен ускорител и X16 модем. Технологиятa на процеса е 10 нанометра. Поддържа се RAM LPDDR4 и съхранява информация UFS 2.1. Поставянето в смартфоните Snapdragon 835 ще започне през първото тримесечие, кaто първото устройство с него ще бъде Samsung Galaxy S8, чието обявяване ще се проведе нa MWC 2017.
Същият документ се споменава и при други чипсети от високо ниво нa Qualcomm - Snapdragon 660 (MSM8976 Plus). Той включва осем ядра Kryo (от 4 до 2.2 GHz + 4 на 1,9 GHz), видео ускорител Adreno 512 и модем X10. Техническият процес е по-голям с 14 нм. Поддържа се RAM тип LPDDR4 и ROM тип UFS 2.1. Този чипсет ще бъде на разположение през второто тримесечие и първите производители на устройства, базирани на нея ще бъдат OPPO и Vivo (т.е. две единици BBK).
