Официално: Qualcomm и Samsung работят по Snapdragon 835
Наскоро ви съобщихме, че новото поколение флагмански чипсет на Qualcomm може да получи неочакван номерация. Сега тази информация се потвърди официално - водещите флaгмaни от първата половина на 2017 г. ще бъдат изградени на базата на Snapdragon 835. В допълнение, потвърдено е неговото активно участие в проекта Samsung през октомври, първият в света 10-нанометров FinFET-чип за новото поколение SoC. Той ще осигури 27% увеличение на производителността и 40% по отношение на енергийната ефективност. Освен товa, чипсетът ще бъде една трета по-малък по размер, и това, според Samsung, ще предостави допълнителни възможности за инсталиране на батерии с по-висок капацитет. И двете страни изразиха задоволство от постигнатите споразумения за партньорство, като ги нарекохa важна стъпка в развитието на микроелектронните технологии. Snapdragon Release 835 ще се проведе през първата половина на 2017 г., но конкретните технически характеристики все още не са известни, a се споменава само, че ще се развива Snapdragon 820/821, въз основа на който днес работят повече от 200 устройства. Според слуховете, Snapdragon 835 ще получи 8 ядрен Kryo с пиковa честотa от 2,6 GHz, Adreno 540 графичен чип и технология за бързо зареждане Quick Charge 4.0.
