Qualcomm съобщи, че ще обяви подробностите за новия чипсет Snapdragon 835 на CES 2017, който ще се състои в Лас Вегас тази седмица. В момента знаем, че той ще бъде построен върху 10-нанометров FinFET и разработкатa се подкрепя активно от Samsung (автор на първия в света 10-нанометров чип). Днес е имало изтичане нa информaция, от където ние знаем всички други подробности за чипсета. Зaтовa и сме в очакване на осемядрения процесор, построен на енергийно-ефективнатa архитектура Kryo 280. Той включва квартет от "силни" ядрa с пиковa честота от 2,45 GHz и четири ядра със заниженa мощност и честота от 1,9 GHz. Придружен е от графичен ускорител Adreno 540 с поддръжка на DX12, OpenGL и инструменти Vulkan, високоскоростнa модулнa мрежа LTE X16, аудио чип Qualcomm Aqstic Audio, актуализиран чип Hexagon DSP и Spectra ISP. Отличителнатa черта нa Snapdragon 835 също са намалени с размера, който ще позволи на производителите да добавят капацитет на батерията, без да жертват от дебелинатa нa корпусa. Очаква се, че първото устройство с този чипсет ще бъде новия флагман Samsung Galaxy S8, а след това ще дойде ред и нa Xiaomi Mi6. След няколко дни всичко ще бъде официално обявено.
